單項(xiàng)選擇題晶閘管兩端并聯(lián)阻容吸收電路的目的是()。

A.防止電壓尖峰
B.防止電流尖峰
C.產(chǎn)生觸發(fā)脈沖
D.產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)


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1.單項(xiàng)選擇題晶閘管兩端并聯(lián)壓敏電阻的目的是實(shí)現(xiàn)()。

A.防止沖擊電流
B.防止沖擊電壓
C.過(guò)流保護(hù)
D.過(guò)壓保護(hù)

2.單項(xiàng)選擇題晶閘管兩端()的目的是防止電壓尖峰。

A.串聯(lián)小電容
B.并聯(lián)小電容
C.并聯(lián)小電感
D.串聯(lián)小電感

3.單項(xiàng)選擇題晶閘管電路中串入快速熔斷器的目的是()。

A.過(guò)壓保護(hù)
B.過(guò)流保護(hù)
C.過(guò)熱保護(hù)
D.過(guò)冷保護(hù)

4.單項(xiàng)選擇題晶閘管型號(hào)KP20-8中的K表示()。

A.國(guó)家代號(hào)
B.開(kāi)關(guān)
C.快速
D.晶閘管

5.單項(xiàng)選擇題晶體管毫伏表專用輸入電纜線,其屏蔽層、線芯分別是()。

A.信號(hào)線、接地線
B.接地線、信號(hào)線
C.保護(hù)線、信號(hào)線
D.保護(hù)線、接地線