A.6db
B.9db
C.3db
D.12db
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A.直流
B.交流
C.脈動(dòng)電流
D.半波整流
A.縱向磁場(chǎng)
B.周向磁場(chǎng)
C.擺動(dòng)磁場(chǎng)
A.顯示磁痕可能誤判
B.磁通量將不均勻
C.需要比較大的流動(dòng)性
A.可能使磁場(chǎng)減弱
B.可能產(chǎn)生磁瀉
C.可能損傷零件某端
A.連續(xù)法
B.剩磁法
C.間斷法
D.反向電流法
最新試題
為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。
對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí)，若回波前沿沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn)，會(huì)使缺陷定位誤差增加。
橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。
由于圓柱形工件有一定的曲率，直探頭與工件直接接觸時(shí)，接觸面為一條很寬的條形區(qū)域，從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
當(dāng)工件內(nèi)應(yīng)力與波的傳播方向一致時(shí)，若應(yīng)力為壓縮應(yīng)力，則應(yīng)力作用會(huì)使工件彈性增加，導(dǎo)致聲速減慢。
水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。