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填空題關(guān)于陽(yáng)性精神分裂癥的腦機(jī)制有哪三種學(xué)說（）、（）、（）

1.填空題發(fā)展性失讀癥是基因突變導(dǎo)致（），特別是（）發(fā)育不足，可能是（）、（）和（）的共同原因。

2.填空題失認(rèn)證是（），包括（）、（）、（）；失語(yǔ)癥是（），包括（）、（）、（）失讀癥是（），包括（）、（）；這些患者（）正常。而緘默癥則（）

3.填空題用雙分離技術(shù)可將記憶分為（）和（）；用雙聽刺激試驗(yàn)可發(fā)現(xiàn)精神病患者幻聽是由于（）；用雙耳分聽試驗(yàn)和速示試驗(yàn)可檢驗(yàn)（）

4.填空題關(guān)于記憶的分子生物學(xué)機(jī)制：短時(shí)記憶是在突觸處發(fā)生了（）；而長(zhǎng)時(shí)記憶是整個(gè)神經(jīng)元的反應(yīng)，包括（）和（），結(jié)果是（）并形成（）

5.填空題關(guān)于記憶障礙：不良個(gè)性可有（）；精神創(chuàng)傷可致（）；暗示可致（）

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