單項(xiàng)選擇題目前高頻開關(guān)整流器采用的高頻功率開關(guān)器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及兩者混合管和()等等。
A、晶閘管
B、可控硅
C、功率集成器件
D、晶體管
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1.單項(xiàng)選擇題G.655光纖波長區(qū)在1530-1565nm,衰減常數(shù)技術(shù)指標(biāo)()dB/km。
A、0.50
B、0.35
C、0.25
D、0.2
2.單項(xiàng)選擇題模塊的限流值應(yīng)該在()Ie之間可以連續(xù)可調(diào)。
A、0%~100%
B、50%~100%
C、30%~110%
3.單項(xiàng)選擇題高頻開關(guān)電源采用脈寬調(diào)制(PWM)方式,其開關(guān)頻率一般在30—500KHz范圍內(nèi),如果開關(guān)頻率再提高,就會(huì)()。
A、對(duì)外發(fā)射,影響通信設(shè)備
B、兩組開關(guān)管來不及相互轉(zhuǎn)換
C、開關(guān)損耗隨之增加,效率反而下降
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饋線標(biāo)識(shí)用塑料標(biāo)識(shí)牌,室外部分標(biāo)牌表面覆蓋保護(hù)膜,固定在饋線三處有明顯體現(xiàn):()
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