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填空題對(duì)eNODEB而言，最大輸出功率必須保持在制造商標(biāo)稱功率的（）dB。

1.填空題在LTE中，發(fā)射輸出功率直接影響到來自使用（）的相鄰小區(qū)的干擾，同時(shí)也會(huì)影響到傳輸帶寬的（）。

2.填空題通過系統(tǒng)仿真分析選擇這些EVM值以確保在典型的部署環(huán)境中，小區(qū)平的和邊緣吞吐量性能損失不超過（）。

3.填空題在測試EVM時(shí)，為了減小噪聲的影響，對(duì)于UE（上行）測量在（）個(gè)時(shí)隙上取平均，對(duì)于eNODEB（下行）在（）個(gè)子幀上取平均。

4.填空題應(yīng)該注意的是，在測量EVM之前必須實(shí)施（）和（）的同步。

5.填空題對(duì)于eNODEB（下行），EVM定義為衡量在（）個(gè)RB上發(fā)送信號(hào)的質(zhì)量。

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