最新試題
自然變寬和同位素變寬是原子固有的性質(zhì)所引起，可設(shè)法消除。
在AAS測(cè)試中，石墨爐原子化時(shí)，凈化溫度應(yīng)高于原子化溫度，凈化的時(shí)間為3~5s，目的是去除試樣殘留物，消除記憶效應(yīng)。
色譜流出曲線圖中的標(biāo)準(zhǔn)差是指正態(tài)色譜峰上兩拐點(diǎn)間距離的一半，其大小反映組分流出色譜柱的離散程度，標(biāo)準(zhǔn)差越大，色譜峰越寬。
色譜流出曲線圖是將待分離組分經(jīng)過(guò)色譜柱的分離后進(jìn)入檢測(cè)器，以檢測(cè)器檢測(cè)到的響應(yīng)信號(hào)為橫坐標(biāo)，時(shí)間或流動(dòng)相的體積為縱坐標(biāo)所得的曲線圖。
分子內(nèi)各種官能團(tuán)的特征吸收峰只出現(xiàn)在紅外光波譜的一定范圍。
在AAS測(cè)試中的化學(xué)干擾可通過(guò)化學(xué)分離，使用高溫火焰，加入釋放劑和保護(hù)劑，加入緩沖劑或基體改進(jìn)劑等方法來(lái)克服。
軟電離離子化能量高，分子離子的碎片信息豐富，提供的分子官能團(tuán)等結(jié)構(gòu)信息。
消除AAS測(cè)試中的電離干擾可采用適當(dāng)控制火焰溫度，加入消電離劑（主要為堿金屬元素）等來(lái)抑制待測(cè)原子的電離。
場(chǎng)致變寬是指在外加場(chǎng)或者帶電粒子形成的場(chǎng)作用下，電子能級(jí)進(jìn)一步發(fā)生分裂而導(dǎo)致的變寬效應(yīng)，在原子吸收分析中，場(chǎng)變寬不是主要變寬。
在AAS測(cè)試中，原子化條件的選擇對(duì)測(cè)定的靈敏度和準(zhǔn)確度無(wú)影響。