多項選擇題硅外延片的應用包括（）。

A.二極管和三極管
B.電力電子器件
C.大規(guī)模集成電路
D.超大規(guī)模集成電路


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1.多項選擇題硅外延生長工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長溫度，生長壓力，生長速度
D.尾氣的處理

2.單項選擇題位錯的形成原因是（）。

A.位錯就是由彈性形變造成的
B.位錯就是由重力造成的
C.位錯就是由范性形變造成的
D.以上答案都不對

3.單項選擇題下列晶體管結構中，在晶體管輸出電流很大時常使用的是：（）

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結構
D、梳狀結構

4.單項選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸

5.單項選擇題說明構成每個單元所需的基本門和基本單元的集成電路設計過程叫（）：

A、邏輯設計
B、物理設計
C、電路設計
D、系統(tǒng)設計