A.集中式處理結(jié)構(gòu)。
B.分布式處理結(jié)構(gòu)。
C.交換網(wǎng)板式處理結(jié)構(gòu)。
D.共享內(nèi)存式處理結(jié)構(gòu)。
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A.采樣->量化->編碼
B.采樣->編碼->量化
C.編碼->采樣->量化
D.量化->編碼->采樣
A.CRC校驗(yàn)
B.海明碼校驗(yàn)
C.多種校驗(yàn)方式的組合
D.奇偶校驗(yàn)
A.SRAM需要定時刷新，否則數(shù)據(jù)會丟失
B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息
C.SRAM的集成度高于DRAM
D.只要不掉點(diǎn)，DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失
A.U/3
B.2U/3
C.3U/4
D.不變
A.BD-STATUS
B.LOS
C.LOF
D.PS
A.帶阻濾波器
B.帶通濾波器
C.低通濾波器
D.高通濾波器
最新試題
某電路，對100KHz以下低頻信號干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。
放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）
關(guān)于BWS 1600G系統(tǒng)，下列說法不正確的是（）。
模擬信號數(shù)字化的過程是（）。
本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。
8086CPU內(nèi)部包括哪些單元？（）
下面哪塊單板不提供MON口用于在線光信號檢測：（）
晶體管能夠放大的外部條件是（）。
通過U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到（）。
一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>