問答題列出AR46支持的三種OSI模型中的路由協(xié)議。
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關(guān)于SRAM和DRAM,下面說法正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。()
題型:判斷題
8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
光交叉處理()的調(diào)度,通常與所承載的業(yè)務(wù)類型()。()處理電信號的調(diào)度,與所承載的業(yè)務(wù)類型()
題型:填空題
硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。()
題型:判斷題
關(guān)于FIU板的描述正確的有:()
題型:多項(xiàng)選擇題
在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
()不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
題型:多項(xiàng)選擇題
關(guān)于BWS 1600G系統(tǒng),下列說法不正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
晶體管能夠放大的外部條件是()。
題型:單項(xiàng)選擇題