單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰漂移探測(cè)器和高純鍺探測(cè)器的結(jié)構(gòu)，下列說法正確的是（）。

A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問題
D.對(duì)不同的結(jié)構(gòu)形式，靈敏體積內(nèi)的電場(chǎng)分布不同


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于高純鍺探測(cè)器的特點(diǎn)表述正確的是（）。

A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時(shí)一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測(cè)器

2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于高純鍺探測(cè)器的描述，下列說法錯(cuò)誤的是（）。

A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀撸钥梢杂泻艽蟮慕Y(jié)區(qū)，即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的

3.單項(xiàng)選擇題下列對(duì)鋰漂移探測(cè)器的工作條件和原理描述不正確的是（）。

A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰漂移探測(cè)器的工作原理，下列說法正確的是（）。

A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于鋰的漂移特性及P-I-N結(jié)形成，下列說法錯(cuò)誤的是（）。

A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體