A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開路電壓的影響。
D.與晶硅太陽(yáng)能電池相比，GaAs太陽(yáng)能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽(yáng)能電池具有更好的溫度特性。
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A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí)，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅
A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs
A.5.673m
B.4.259m
C.1.414m
D.3.011m
A.光源輻照度為1000W/m
B.測(cè)試溫度為25℃
C.AM1.0地面太陽(yáng)光譜輻照度分布
D.AM1.5地面太陽(yáng)光譜輻照度分布
最新試題
太陽(yáng)內(nèi)部最里層是（）。
在太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電的應(yīng)用場(chǎng)合，為了避免對(duì)公共電網(wǎng)的電力污染，必須使用正弦波逆變器。
正弦脈寬調(diào)制技術(shù)（SPWM）是通過對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制，使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖，用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形。
（）是覆蓋在電池正面的上蓋板材料，構(gòu)成太陽(yáng)能電池組件的最外層。
多晶硅光伏電池的效率（）非晶硅電池。
（）的導(dǎo)帶和價(jià)帶重疊在一起，不存在禁帶，在一切條件下具有良好的導(dǎo)電性。
以下太陽(yáng)能電池片的制造工序中，以減少光的反射為目的的工序是（）
太陽(yáng)能是太陽(yáng)內(nèi)部（）原子發(fā)生聚變而釋放出的巨大能量。
在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，為了延長(zhǎng)蓄電池的壽命，利用（）對(duì)蓄電池過放電、過充電、深度充電、負(fù)載過流和反充電等情況加以限制。
對(duì)太陽(yáng)電池組件的技術(shù)要求，表述錯(cuò)誤的是（）