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填空題用半導(dǎo)體的微細(xì)加工技術(shù)，在非晶基片上通過(guò)使用微細(xì)的表面結(jié)構(gòu)，考察了單晶成長(zhǎng)方法，并命名為（）

1.填空題MBGE法成為多晶的理由是，有（）得到的金字塔形的山和谷的距離只有約1µm左右，因此可以認(rèn)為在結(jié)晶核和生長(zhǎng)層之間不形成溫度差。

2.填空題在太陽(yáng)能電池制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)中，主要是以將（）與屋頂材料、壁材料等一體化、低成本化為目的，主要集中在創(chuàng)意性?xún)?yōu)秀的建材一體化模板的開(kāi)發(fā)方面。

3.填空題在太陽(yáng)能電池制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)中，作為主流的結(jié)晶系太陽(yáng)能電池有（）和薄膜多晶太陽(yáng)能電池等。

4.填空題新能源導(dǎo)入目標(biāo)主要有（）和（）領(lǐng)域。

5.填空題21世紀(jì)太陽(yáng)光發(fā)電技術(shù)，在用途方面對(duì)（）；（）、輕量型太陽(yáng)能電池、AC模板等太陽(yáng)能電池的多功能化、色素增感等新型太陽(yáng)能電池也會(huì)有更高的期望。