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填空題為了實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池，太陽光譜的整合是必要的，太陽能電池材料的禁帶寬度Eg為（）左右，認(rèn)為是最合適的，Eg為（）的GaAS及1.35ev的InP等應(yīng)該是合適的。

1.填空題GaAs或InP太陽能電池由于（）且有（），作為空間太陽能電池已被實(shí)用化。

2.填空題太陽能電池材料是由元素周期表中的III族元素（）；（）和V族磷、砷元素組成的半導(dǎo)體，如用砷化鎵、磷化銦等由III-V族化合物組成的半導(dǎo)體所構(gòu)成的太陽能電池。

3.填空題幾乎所有的III-v族化合物半導(dǎo)體都是（）能帶結(jié)構(gòu)，具有（），光吸收系數(shù)很大，對(duì)薄膜太陽能電池是有用的。

4.填空題化合物半導(dǎo)體太陽能電池材料的重要特性參數(shù)有（）；（）、數(shù)載流子移動(dòng)度i以及擴(kuò)散長(zhǎng)度L，特別是在太陽能電池中，復(fù)合效果也是重要的參數(shù)。

5.填空題GaAs以及InP的禁帶寬度分別為（）；（），與高效率最適合的1.4ev~1.5ev相近。