單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的磚樣應(yīng)進(jìn)行處理,處理方式為將非燒結(jié)磚放入()的水中浸泡()后取出,用濕布拭去其表面水分,再進(jìn)行抗折試驗。
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為(),下支輥應(yīng)有一個為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的材料試驗機預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的()之間。
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強度試驗的材料試驗機示值相對誤差不大于()。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個方向上分別測得的()作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個()的中間處分別測量兩個尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時,可在其旁邊測量,但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至()。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
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最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題