多項(xiàng)選擇題以下高分子防水卷材中拉升速率為(500±50)mm/min的有()。
A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
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1.多項(xiàng)選擇題以下高分子防水卷材中拉升速率為(250±50)mm/min的有()。
A.JF1
B.JS2
C.JS1
D.FF
2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于N類卷材拉伸試驗(yàn)描述下列正確的是()。
A.夾具間距為50mm
B.瀝青斷裂延伸率為試件瀝青層出現(xiàn)孔洞、裂口時(shí)的斷裂延伸率
C.取五個(gè)試件的平均值,拉力單位為N/50mm
D.夾具間距為200mm
3.多項(xiàng)選擇題不透水試驗(yàn)采用七孔板的是()。
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
4.多項(xiàng)選擇題不透水試驗(yàn)采用十字開縫板的是()。
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
5.多項(xiàng)選擇題N類按上表面材料分為()。
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無膜雙面自粘
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:單項(xiàng)選擇題