填空題內(nèi)存儲器一般由半導(dǎo)體存儲器構(gòu)成,通常裝在計算機()上,存取速度快,但容量有限。
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最新試題
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯誤的是()。
題型:單項選擇題
?關(guān)于正弦波振蕩電路,下列表述不合適的是()。
題型:多項選擇題
放大電路中,判斷三極管工作組態(tài)的依據(jù)是()。
題型:單項選擇題
下列電路變量中,描述錯誤的一項是()。
題型:單項選擇題
電路在激勵(外界輸入)或儲能元件的初始狀態(tài)作用下產(chǎn)生的響應(yīng)有三種,分別是()。
題型:單項選擇題
關(guān)于電路模型,下列說法錯誤的一項是()。
題型:單項選擇題
?電路如圖所示,已知R為一個0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器,要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化,假設(shè)第2級增益為0.5V/V,則()。
題型:單項選擇題
關(guān)于回路方程,下列描述錯誤的一項是()。
題型:單項選擇題
如圖所示電路中,二極管都是理想的,則電壓Uab=()V。
題型:單項選擇題
電路如圖所示,其功能是方波發(fā)生器,其中R和C的作用為()。
題型:多項選擇題