最新試題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:單項(xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:單項(xiàng)選擇題

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()

題型:單項(xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題