問答題低合金高強度結(jié)構(gòu)鋼與普通碳素結(jié)構(gòu)鋼相比在性能方面有何特點?
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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可用作硅片的研磨材料是()
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
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載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
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改良西門子法的顯著特點不包括()
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