單項(xiàng)選擇題SRAM和DRAM均為RAM存儲(chǔ)器，二者的容量與讀寫速度為（）
A、SRAM有極高的讀寫速度及大容量
B、DRAM有極高的讀寫速度及大容量
C、SRAM有極高的讀寫速度，DRAM有更大的容量
D、DRAM有極高的讀寫速度，SRAM有更大的容量
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1.單項(xiàng)選擇題用示波器測(cè)量晶體振蕩電路時(shí)，造成振蕩器停振，可能的原因?yàn)椋ǎ?/a>
A、晶體振蕩電路的輸出電阻過低
B、示波器的頻帶寬度不夠
C、示波器的高頻等效阻抗偏低
D、示波器的高頻等效阻抗偏高
2.單項(xiàng)選擇題觀察帶有毛刺的15MHZ正弦信號(hào)波形，若要如實(shí)反映被測(cè)信號(hào)本質(zhì)仍帶毛刺，則選用的示波器帶寬應(yīng)為（）
A、100MHZ
B、40MHZ
C、60MHZ
D、20MHZ
3.單項(xiàng)選擇題按照慣例，脈沖上升沿tr的時(shí)間值應(yīng)在下述條件下測(cè)量（）
A、在脈沖峰峰值的0至90%處
B、在脈沖峰峰值的10%至90%處
C、在脈沖峰峰值的10%至100%處
D、在脈沖峰峰值的0%至100%處
4.單項(xiàng)選擇題基本比較器與滯回比較器相比（）
A、前者靈敏度高，后者抗干擾能力強(qiáng)
B、前者靈敏度差，后者抗干擾能力強(qiáng)
C、前者靈敏度高，后者抗干擾能力差
D、前者靈敏度差，后來抗干擾能力差
5.單項(xiàng)選擇題下列數(shù)據(jù)中，數(shù)值最大的為（）
A、（101001）2
B、（52）10
C、（00101001）BCD
D、（231）16