單項選擇題E2PROM(FLASH存儲器)通過()的特殊寫方式對其進(jìn)行編程和擦除。

A.紫外線光
B.電脈沖
C.光脈沖
D.激光


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1.單項選擇題外設(shè)可以分為()、()和()。

A.輸入設(shè)備、輸出設(shè)備和既可輸入又可輸出的設(shè)備
B.顯示器、鍵盤和鼠標(biāo)
C.光設(shè)備、電設(shè)備和光電設(shè)備
D.顯示設(shè)備、打印設(shè)備和電源設(shè)備

2.單項選擇題EPROM全稱為()。

A.不可編程只讀存儲器
B.電可擦除可編程只讀存儲器
C.可編程不可擦除只讀存儲器
D.可編程可擦除只讀存儲器

3.單項選擇題RAM和ROM的共同點為()。

A.均屬于只能讀不能寫的存儲器
B.均屬于易失性存儲器
C.均屬于用戶不可訪問的存儲器
D.均屬于半導(dǎo)體存儲器

4.單項選擇題現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存主要采用的是()。

A.二氧化硅
B.鋁金屬薄膜材質(zhì)
C.半導(dǎo)體存儲器件
D.聚碳酸酯材質(zhì)

最新試題

為對項目進(jìn)度進(jìn)行趕工,項目經(jīng)理應(yīng)該為()增加資源。

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題型:單項選擇題

以下()不屬于風(fēng)險管理中的糾正行為。

題型:多項選擇題