A.VLAN 0
B.VLAN 1
C.VLAN 1024
D.VLAN 4095
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A.512
B.1024
C.2048
D.4096
E.理論上支持無(wú)數(shù)個(gè)
A.untagged frame
B.令牌幀
C.tagged frame
D.FDDI幀
A.4
B.32
C.12
D.8
A.1
B.12
C.24
D.4096
A.物理層
B.數(shù)據(jù)鏈路層
C.網(wǎng)絡(luò)層
D.應(yīng)用層
最新試題
下面哪塊單板不提供MON口用于在線光信號(hào)檢測(cè)：（）
關(guān)于SRAM和DRAM，下面說(shuō)法正確的是（）。
M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警，關(guān)于處理此告警說(shuō)法正確的是：（）
放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）
本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。
對(duì)于D觸發(fā)器來(lái)說(shuō)，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來(lái)之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為（）。
Eudemon 8080E/8160E的ACL支持以下哪些類(lèi)型的時(shí)間段：（）。
一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi)，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。