A.Discarding狀態(tài)
B.Listening狀態(tài)
C.Learning狀態(tài)
D.Forwarding狀態(tài)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.RSTP由IEEE802.1D的1998年版本定義。
B.最新的RSTP由IEEE802.1D的2004年版本定義。
C.RSTP由IEEE802.1s定義。
D.IEEE802.1w的2001年版本定義了RSTP,是對IEEE802.1D的1998年版本的補(bǔ)充。
A.這兩個(gè)端口無法正常工作,因?yàn)閮蓚€(gè)端口發(fā)送的BPDU都不能被對方識別。
B.協(xié)議工作不正常,兩個(gè)交換機(jī)都認(rèn)為自身為根交換機(jī),四個(gè)互連端口都認(rèn)為自身是指定端口。
C.由于RSTP比較先進(jìn),所以運(yùn)行RSTP的交換機(jī)會成為根交換機(jī)。
D.四個(gè)交換機(jī)互連的端口都會工作在STP模式下。
A.Forwarding狀態(tài)的端口可以收發(fā)BPDU報(bào)文。
B.Forwarding狀態(tài)的端口可以根據(jù)收到的數(shù)據(jù)報(bào)文學(xué)習(xí)源MAC。
C.Forwarding狀態(tài)的端口只轉(zhuǎn)發(fā)報(bào)文,不學(xué)習(xí)MAC地址。
D.Forwarding狀態(tài)的端口可以轉(zhuǎn)發(fā)數(shù)據(jù)報(bào)文。
最新試題
以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口,提高了網(wǎng)絡(luò)性能。()
DRAM上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全1。()
關(guān)于SRAM和DRAM,下面說法正確的是()。
硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。()
Eudemon 8080E/8160E的ACL支持以下哪些類型的時(shí)間段:()。
關(guān)于PCI總線的描述,錯(cuò)誤的是()。
一空氣平行板電容器,兩級間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
對于D觸發(fā)器來說,為了保證可靠的采樣,數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為()。
光交叉處理()的調(diào)度,通常與所承載的業(yè)務(wù)類型()。()處理電信號的調(diào)度,與所承載的業(yè)務(wù)類型()
以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試?()