A.晶閘管
B.門極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管
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A.IGBT ,GTO
B.電力MOSFET ,GTR
C.IGBT ,電力MOSFET
D.GTO ,GTR
A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦無電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通,門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。
最新試題
uo與ui大小相等,相位相反,此時的電路稱為反相器,或倒相器。
平衡電阻是保證了集成運放兩個輸入端,靜態(tài)時外接電阻相等。
反相比例運算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。
清零端與脈沖信號的狀態(tài)無關(guān),所以叫做同步清零。
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負載()
下列受時鐘控制的是()
碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進制代碼來表示非二進制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。
3位二進制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
4位二進制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
集成運放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠遠超出了數(shù)學(xué)運算,涉及到了()測量和自動控制等方面