單項(xiàng)選擇題晶體管放電路之功率增益為AP，電壓增益為AV，電流增益為AI，三者之關(guān)系為AP=AV·AI，試問(wèn)下列何種電路何功率增益AP最高？（）

A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是


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2.單項(xiàng)選擇題有關(guān)雙極性接面晶體管（BJT）特性之?dāng)⑹觯铝泻握哂姓`？（）

A.BJT為電流控制組件
B.NPN型BJT正常工作時(shí)，流通之多數(shù)載子為電子
C.BJT用于線性放大時(shí)，基射極需接反偏，基集極接順偏
D.不可以二個(gè)頭或尾對(duì)接之二極管來(lái)代替BJT組件使用

3.單項(xiàng)選擇題某晶體管之β值為99，則其α值應(yīng)為？（）

A.0.98
B.0.985
C.0.99
D.0.995

4.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)MOSFET之?dāng)⑹?，何者有誤？（）

A.MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無(wú)窮大
B.增強(qiáng)型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
C.MOSFET之閘極與通道（channel）間一般是隔著二氧化硅（SiO2）
D.與增強(qiáng)型比較，空乏型在制造上多了離子布植（ionimplantation）的手續(xù)

5.單項(xiàng)選擇題JFET之工作原理是控制（）

A.通道中載子的濃度
B.通道之導(dǎo)電系數(shù)
C.流過(guò)接面的電流
D.接面空乏區(qū)的厚度