A：Dual-RankLRDIMM內(nèi)存的功耗只有其50％
B：Quad-RankLRDIMM也能低到其75%
C：內(nèi)存頻率提升到原來(lái)的兩倍
D：每通道支持到9個(gè)DIMM，內(nèi)存容量提升到原來(lái)的三倍
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A、點(diǎn)到點(diǎn)的技術(shù)減少了地址沖突以及菊花鏈連結(jié)的減速
B、更細(xì)的電纜搭配更小的連接器
C、可以同時(shí)連結(jié)更多的磁盤(pán)設(shè)備，一個(gè)SAS域最多可以直連16384個(gè)設(shè)備
D、單盤(pán)容量大
A、3.50英寸
B、1.75英寸
C、1.55英寸
D、4.445英寸
A、多核心
B、浮點(diǎn)能力強(qiáng)
C、價(jià)格便宜
D、整型計(jì)算能力強(qiáng)
A、并行連接
B、串行連接
C、采用點(diǎn)到點(diǎn)的技術(shù)
D、兼容SATA
A、關(guān)系型數(shù)據(jù)庫(kù)
B、互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)
C、前端接入應(yīng)用
D、IPDC行業(yè)
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