單項(xiàng)選擇題測量介損tgδ和測量絕緣電阻一樣，試品的表面泄漏對測量結(jié)果有一定影響，并且（）。
A.試品電容量較大，影響較小
B.試品電容量較大，影響較大
C.與試品電容量無關(guān)
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1.單項(xiàng)選擇題若試品的電容量為10000pF，測量介損tgδ時(shí)加壓10kV，試驗(yàn)變壓器容量選擇應(yīng)不小于（）kVA。
A、0.05
B、0.5
C、1.0
D、1.5
E、2.0
2.單項(xiàng)選擇題使用QS1交流電橋測量試品的電容量約為15000pF，加壓10kV，電橋分流器的位置選擇哪一檔為宜（）。
A、0.01
B、0.025
C、0.06
D、0.15
3.單項(xiàng)選擇題絕緣試驗(yàn)時(shí)，tgδ隨溫度的增加而（）。
A.增加
B.不變
C.減小
4.單項(xiàng)選擇題使用半波整流電路進(jìn)行避雷器的直流電導(dǎo)電流試驗(yàn)時(shí)，為了減小直流電壓的脈動(dòng)，需在試品Cx上并聯(lián)穩(wěn)壓電容C，其電容值采用下列電容值的哪一個(gè)較好（）。
A.10Mf
B.0.1μF
C.0.01μF
5.單項(xiàng)選擇題高壓電氣設(shè)備絕緣的泄漏電流隨溫度的增加而（）。
A.增加
B.不變
C.減小
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由于帶電設(shè)備與停電設(shè)備之間的電導(dǎo)耦合，使停電設(shè)備有一定電壓等級(jí)的感應(yīng)電壓，對絕緣電阻測量影響較大。
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