A.腦皮質(zhì)和灰質(zhì)核區(qū)的放射性分布低于白質(zhì)和腦室區(qū)
B.腦皮質(zhì)和灰質(zhì)核區(qū)的放射性分布高于白質(zhì)和腦室區(qū)
C.腦皮質(zhì)和灰質(zhì)核團的放射性分布與白質(zhì)和腦室區(qū)相似
D.腦回放射性分布比腦溝部位厚且濃
E.腦室放射性分布高于白質(zhì)和腦室
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A.局部腦血流量
B.局部腦功能
C.既反映局部腦血流量,又反映局部腦功能
D.既反映腦攝取量,又反映腦清除量
E.局部腦代謝
A.腦皮質(zhì)慢性低灌注狀態(tài)
B.大小腦交叉失聯(lián)絡(luò)
C.基底節(jié)區(qū)和皮層放射性分布減少
D.兩側(cè)基底節(jié)放射性分布增高
E.尾狀核放射性分布增高,豆?fàn)詈朔派湫苑植紲p少
A.口服過氯酸鉀以封閉脈絡(luò)叢、甲狀腺和鼻黏膜
B.使OM線垂直于地面
C.保持室內(nèi)光線充足
D.戴眼罩,塞耳塞
E.光照暗淡,保持安靜
A.水溶性、電中性的物質(zhì)
B.脂溶性、電中性的物質(zhì)
C.脂溶性、高分子的物質(zhì)
D.水溶性、高分子的物質(zhì)
E.脂溶性、負電荷的物質(zhì)
A.發(fā)作期和發(fā)作間期均見局部放射性增高
B.發(fā)作期和發(fā)作間期均見局部放射性減低
C.發(fā)作期局部放射性增高,發(fā)作間期放射性減低
D.發(fā)作期局部放射性減低,發(fā)作間期放射性增高
E.發(fā)作期與發(fā)作間期整個腦皮層放射性均增高
最新試題
采用rCBF顯像,在癲癇病灶部位的陽性發(fā)現(xiàn)是()。
腦血流灌注顯像所反映的是()。
腦斷層顯像所用的OM線是指()。
以下不是腦血流灌注顯像劑的是()。
腦脊液間隙顯像中,常用的顯像劑是()
患者,女性,反復(fù)發(fā)作黑矇多次,CT、MRI檢查顱內(nèi)未發(fā)現(xiàn)異常,Tc-HMPAO腦血流灌注顯像提示左側(cè)顳葉放射性攝取減低,最可能診斷是()。
轉(zhuǎn)移性腦腫瘤腦血流灌注顯像與腦代謝顯像各自常表現(xiàn)為()
以下不是理想的腦灌注顯像劑應(yīng)具備的特性的是()。
99mTc-HMPAO的攝取機制與以下哪項有關(guān)()
以下可通過完整的血.腦脊液屏障的顯像劑是()