A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.60鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
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A.10~30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30KeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30KeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30KeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30KeV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
A.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
B.對(duì)中能γ線和原子序數(shù)低的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
C.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),電子對(duì)效應(yīng)為主
D.對(duì)低能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)為主
E.對(duì)高能γ線和原子序數(shù)高的物質(zhì),康普頓效應(yīng)為主
A.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
B.是光子在原子核外電子作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
C.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)反沖電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
D.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為一個(gè)正電子和一個(gè)負(fù)電子的過程
E.是光子在原子核庫侖場(chǎng)作用下轉(zhuǎn)化為兩個(gè)電子的過程
A.125KeV
B.200KeV
C.250KeV
D.350KeV
E.511KeV
A.散射光子的能量隨散射角增大而增大,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將增大
B.散射光子的能量隨散射角增大而增大,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將減少
C.散射光子的能量隨散射角增大而減少,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將增大
D.散射光子的能量隨散射角增大而減少,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將減少
E.散射光子的能量隨散射角減少而減少,相應(yīng)的反沖電子動(dòng)能將增大
最新試題
有些頭頸部腫瘤放射治療后的復(fù)發(fā),多是中央性復(fù)發(fā)。術(shù)后的復(fù)發(fā)主要為外圍性復(fù)發(fā)。因此,綜合使用術(shù)前放療加手術(shù)切除,可以獲得取長(zhǎng)補(bǔ)短的效果
試述射線對(duì)生物體的作用
試分述放射性皮膚早、晚期反應(yīng)的表現(xiàn)及預(yù)防和治療
試述影響放療效果的主要因素
加速再增殖
癌與肉瘤有什么區(qū)別
高能電子線的物理劑量特點(diǎn)有哪些
何為高分化、中分化與低分化
放射增敏劑
現(xiàn)代近距離放射治療主要特點(diǎn)