單項選擇題一般將IP上產(chǎn)生()的照射量作為基礎(chǔ)的目標(biāo)照射量.
A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR
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1.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱().
A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP
2.單項選擇題CR四象限理論中,第四象限對應(yīng)的曲線為().
A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線
3.單項選擇題CR中IP的線性范圍是().
A.1:102
B.1:1003
C.1:104
D.1:105
E.1:106
4.單項選擇題CR中EDR的中文全稱是().
A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
5.單項選擇題IP曝光后,應(yīng)在()內(nèi)進(jìn)行信號讀取.
A.1分鐘
B.1小時
C.8小時
D.12小時
E.24小時
最新試題
放射治療計劃的實施環(huán)節(jié)正確的是().
題型:多項選擇題
下列對照射區(qū)的描述正確的是().
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下列哪些情況需要采用全腦全脊髓照射技術(shù)().
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旋轉(zhuǎn)調(diào)強(qiáng)與下列哪些有關(guān)().
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