單項選擇題使瓷體熔化時不受氧化、不產(chǎn)生氣泡、排出爐內(nèi)異常氣體的裝置是（）。
A.爐膛
B.真空裝置
C.產(chǎn)熱及調(diào)溫裝置
D.顯示窗
E.鍵盤
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1.單項選擇題使爐內(nèi)升溫和保持恒溫的裝置是（）。
A.爐膛
B.真空裝置
C.產(chǎn)熱及調(diào)溫裝置
D.顯示窗
E.鍵盤
2.單項選擇題真空烤瓷爐對其溫度參數(shù)和時間參數(shù)進行精密的控制。在使用中要求操作人員按嚴格的程序進行操作。真空烤瓷爐的溫度參數(shù)和時間參數(shù)主要包括（）。
A.預熱溫度，烤瓷溫度，預熱時間，烤瓷時間，最終溫度持續(xù)時間
B.預熱溫度，烤瓷溫度，預熱時間，烤瓷時間，最終溫度持續(xù)時間，真空烤瓷時間
C.現(xiàn)時溫度，烤瓷溫度，預熱時間，烤瓷時間，最終溫度持續(xù)時間，真空烤瓷時間
D.現(xiàn)時溫度，最終溫度，預熱時間，升溫時間，最終溫度持續(xù)時間，真空烤瓷時間
E.現(xiàn)時溫度，最終溫度，預熱時間，烤瓷時間，最終溫度持續(xù)時間，真空烤瓷時間
3.單項選擇題真空烤瓷爐對其溫度參數(shù)和時間參數(shù)進行精密的控制。在使用中要求操作人員按嚴格的程序進行操作。在烤瓷過程中有一道工藝叫上釉，上釉有兩種方法：自行上釉和分別上釉，其中自行上釉要求把燒好的瓷體在高于體瓷燒熔溫度下保持數(shù)分鐘，高于體瓷燒熔溫度的范圍是（）。
A.31～40℃
B.21～30℃
C.10℃以內(nèi)
D.11～20℃
E.5℃
4.單項選擇題真空烤瓷爐對其溫度參數(shù)和時間參數(shù)進行精密的控制。在使用中要求操作人員按嚴格的程序進行操作。在烤瓷過程中不能使烤瓷件與爐膛內(nèi)壁接觸，如果接觸，可能造成的最嚴重的后果是（）。
A.烤瓷失敗
B.烤瓷失敗，烤瓷件報廢
C.烤瓷件與爐膛內(nèi)壁發(fā)生粘連
D.爐膛報廢
E.發(fā)熱體損壞
5.單項選擇題高頻離心鑄造機操作時應注意。接通電源，開機預熱時間為（）。
A.1～2min
B.3～4min
C.5～10min
D.11～15min
E.16～20min