單項選擇題患者女,13歲。病毒性腦炎恢復(fù)期,睡眠EEG顯示雙側(cè)頂、枕、中、后顳區(qū)不對稱,右側(cè)高波幅慢波為正常睡眠圖形,左側(cè)電壓異常偏低。準(zhǔn)確的描述應(yīng)為()。

A.暴發(fā)--抑制
B.局灶性不對稱慢波
C.癲癇持續(xù)狀態(tài)腦電變化
D.三相波
E.間斷性節(jié)律性δ活動(IRDA.


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1.單項選擇題應(yīng)盡量避免使用高頻濾波的方式消除肌電偽跡,當(dāng)使用15~20Hz的高頻濾波時,肌電活動偽跡會出現(xiàn)()。

A.少數(shù)高頻肌電活動被衰減
B.肌電活動波形變銳
C.肌電活動頻率變快
D.使肌電偽跡更容易辨認(rèn)
E.可能變成異常快節(jié)律或多棘波

2.單項選擇題失神發(fā)作()。

A.閃光可誘發(fā)
B.過度換氣可誘發(fā)
C.醒后和睡前多發(fā)
D.多于夜間發(fā)作
E.晨醒后多發(fā)

3.單項選擇題NREM睡眠Ⅳ期腦電圖特點(diǎn)為()。

A.睡眠紡錘波持續(xù)0.5秒
B.出現(xiàn)K-綜合波
C.δ波占每段腦電圖的30%以上
D.δ波占每段腦電圖的50%以上
E.顱頂部負(fù)相鋸齒波

4.單項選擇題符合接地電極故障偽跡描述的是()。

A.常為100Hz
B.常見于同一電極相關(guān)的導(dǎo)聯(lián)中
C.在全部電極中出現(xiàn)
D.與腦部起源的電活動一致
E.不會出現(xiàn)在所有導(dǎo)聯(lián)中