單項(xiàng)選擇題當(dāng)探頭距缺陷水平距離不變時(shí),缺陷比探頭尺寸小產(chǎn)生的信號幅度會發(fā)生起伏變化,這個(gè)區(qū)域稱為()。
A、遠(yuǎn)場區(qū)
B、近場區(qū)
C、過渡區(qū)
D、陰影區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)S≥6N時(shí),反射體的定量結(jié)果()實(shí)際當(dāng)量尺寸。
A、大于實(shí)際尺寸
B、小于實(shí)際尺寸
C、接近實(shí)際尺寸
D、有較大誤差
2.單項(xiàng)選擇題聲程不小于1.6N后聲場就進(jìn)入()。
A、近場區(qū)
B、擴(kuò)散區(qū)
C、非擴(kuò)散區(qū)
D、盲區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題在下列不同類型超聲波中,()的傳播速度隨頻率不同而改變。
A、表面波
B、板波
C、疏密波
D、剪切波
4.單項(xiàng)選擇題超聲波在傳播過程中遇到一個(gè)障礙物時(shí),如果障礙物的尺寸小于超聲波的波長,則()。
A、障礙物對超聲波的傳播幾乎沒有影響
B、波到達(dá)障礙物后形成新的波源向四周發(fā)射
C、超聲波將發(fā)生反射、折射和透射
D、有如射波的反射和透射
5.單項(xiàng)選擇題矩形晶片的聲束指向角公式為()。
A、θ=57λ/D
B、θ=57λ/b
C、θ=57λ/a
D、B和C都對
最新試題
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
題型:單項(xiàng)選擇題
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
題型:單項(xiàng)選擇題
掃查方式一般視試件的()而定。
題型:單項(xiàng)選擇題
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
題型:單項(xiàng)選擇題
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
題型:單項(xiàng)選擇題
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
題型:單項(xiàng)選擇題
渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
題型:單項(xiàng)選擇題
()件對不同類型的檢測對象和要求,采用的方式各有不同。
題型:單項(xiàng)選擇題