A、應(yīng)使用直探頭
B、要使用大晶片探頭
C、壓電元件應(yīng)在其基頻上激發(fā)
D、探頭的頻帶應(yīng)盡可能寬
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A、1/2λ以上
B、2λ以上
C、4λ以上
D、以上都不對(duì)
A、探頭耦合面幾何尺寸來決定
B、根據(jù)試塊材料決定
C、幾何尺寸可能產(chǎn)生的干擾雜波必須比參考回波遲到4λ以上
D、以上都不對(duì)
A、底波計(jì)算法
B、試塊法
C、通用AVG曲線法
D、以上都可以
A、直探頭
B、斜探頭
C、雙晶探頭
D、以上都可以
A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm
最新試題
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
掃查方式一般視試件的()而定。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
渦流檢測(cè)線圈感應(yīng)和接收材料或零件中感生渦流的再生磁場(chǎng)的傳感器,它是構(gòu)成()系統(tǒng)的重要組成部分,對(duì)于檢測(cè)結(jié)果的好壞起著重要的作用。