A、左移
B、右移
C、上移
D、下移
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A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、電子對(duì)生成效應(yīng)
D、電離效應(yīng)
A、射線源種類或管電壓有關(guān)
B、被檢材料種類和密度
C、X光管陽(yáng)極靶原子序數(shù)有關(guān)
D、被檢材料的原子序數(shù)
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
最新試題
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。
對(duì)于長(zhǎng)條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì),它反映子實(shí)體滿足需要的()
直接射向缺陷的波就是()
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()