A、水洗型熒光滲透探傷
B、后乳化著色探傷
C、溶劑清洗型著色探傷
D、后乳化熒光滲透探傷
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A、黑光
B、紫外光
C、紅外光
D、以上都不是
A、為了可以算出缺陷的大小和深度
B、為了反映是否有足夠的探傷靈敏度
C、為了確定滲透劑是否還有足夠的熒光強(qiáng)度
D、以上都對(duì)
A、對(duì)顏料有較大的溶解度
B、表面張力不宜太大，具有良好的滲透性
C、具有適當(dāng)?shù)恼扯群蛯?duì)工件無腐蝕性
D、上述三點(diǎn)都有應(yīng)具備
A、能很快地滲入細(xì)微的開口中去
B、揮發(fā)快
C、能保留在比較大的開口中
D、探傷后容易從零件表面上去除掉
A、毛細(xì)管作用
B、顯像劑在裂紋中擴(kuò)展
C、提供均勻的薄膜層
D、將缺陷中的滲透液溶解
最新試題
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和（）兩種測(cè)量方法。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì)，其探頭（傳感器）的光敏組件的前面有（），只適用于測(cè)量黑光。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動(dòng)探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由（）構(gòu)成。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
掃查方式一般視試件的（）而定。