單項選擇題下面哪一項不屬于SiHCl3的提純的方法是（）。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡合物形成法


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1.單項選擇題層壓組件時一般需要的時間為（）。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

4.單項選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅，在生產過程中不需要控制（）。

A.反應溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進入反應爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑，可降低溫度

5.單項選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。

A.輝光放電法
B.反應濺射法
C.化學氣相沉積法
D.電鍍法