單項選擇題常溫下本征半導體硅的禁帶寬度為（）eV。
A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92
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1.單項選擇題按照能帶結構理論，本征半導體的能帶可以分為（）個。
A.1
B.2
C.3
D.4
2.單項選擇題一般情況下，P型半導體的費米能級（）N型半導體的能級。
A.高于
B.小于
C.等于
D.無法確定
3.單項選擇題作為半導體最基本材料的硅，其原子最外層有14個電子，其各層分布的數(shù)目分別是（）。
A.1，9，4
B.2，8，4
C.3，7，4
D.2，7，5
4.單項選擇題光學大氣質(zhì)量與太陽天頂角有關。當太陽天頂角為0度時，大氣質(zhì)量為（）。
A.1
B.2
C.0.5
D.0
5.單項選擇題太陽電池方陣安裝時要進行太陽電池方陣測試，其測試條件是太陽總輻照度不低于（）mW/cm2。
A.400
B.500
C.600
D.700
最新試題
下列受時鐘控制的是（）
題型：單項選擇題
集成運放的反相輸入端，當輸入信號（ui1）由此輸入時，輸出信號（u0）與輸入ui1同相。
題型：判斷題
二進制計數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進制計數(shù)器實現(xiàn)（）分頻。
題型：單項選擇題
uo與ui大小相等，相位相反，此時的電路稱為反相器，或倒相器。
題型：判斷題
反相比例運算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項選擇題
二進制計數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：3位二進制計數(shù)器實現(xiàn)（）分頻。
題型：單項選擇題
將任意一個無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里，它總能進入到這個循環(huán)狀態(tài)，那么也就是說明，這個電路具有自起功能。
題型：判斷題
9個JK觸發(fā)器，通過電路設計，可以接成（）進制以內(nèi)的，任意進制的計數(shù)器。
題型：單項選擇題
如果用預置數(shù)法實現(xiàn)3秒倒計時，74LS192預置數(shù)端輸入應該是（）
題型：單項選擇題
現(xiàn)有58個信息等待用二進制代碼進行編碼，需要用8位二進制代碼來表示。
題型：判斷題