A.同步R-S觸發(fā)器
B.主從R-S觸發(fā)器
C.維阻R-S觸發(fā)器
D.邊沿R-S觸發(fā)器
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A.基本RS觸發(fā)器
B.D觸發(fā)器
C.JK觸發(fā)器
D.T觸發(fā)器
A.主從RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.邊沿JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞觸發(fā)器
A.主從結(jié)構(gòu)
B.邊沿結(jié)構(gòu)
C.同步結(jié)構(gòu)
D.維持-阻塞結(jié)構(gòu)
A.保持(記憶)
B.置0
C.置1
D.翻轉(zhuǎn)(計(jì)數(shù))
A.保持記憶
B.狀態(tài)不定
C.送0
D.送1
最新試題
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?