A.神經(jīng)內(nèi)胚層
B.神經(jīng)外胚層
C.神經(jīng)中胚層
D.中、外胚層
E.內(nèi)、中、外胚層
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A.腦內(nèi)轉(zhuǎn)移瘤
B.垂體瘤
C.室管膜瘤
D.血管母細(xì)胞瘤
E.淋巴瘤
A.病灶無(wú)強(qiáng)化,可除外星形細(xì)胞瘤
B.出現(xiàn)強(qiáng)化,可除外腦梗死
C.病灶環(huán)狀強(qiáng)化,中心密度高,向四周漸低,應(yīng)考慮腦出血
D.病灶不均勻強(qiáng)化,可考慮淋巴瘤
E.病灶內(nèi)無(wú)血管樣強(qiáng)化,可除外海綿狀血管瘤
A.橫斷平掃
B.冠狀平掃
C.高分辨力掃描
D.平掃和增強(qiáng)掃描
E.用骨算法
A.神經(jīng)母細(xì)胞瘤
B.血管母細(xì)胞瘤
C.神經(jīng)上皮性囊腫
D.膠質(zhì)瘤
E.錯(cuò)構(gòu)瘤
A.Ⅳ型:有嚴(yán)重的小腦發(fā)育不全
B.Ⅰ型:扁桃體下疝,通常不伴其他腦畸形
C.Ⅱ型:常伴神經(jīng)管閉合不全和幕上畸形
D.Ⅲ型:伴頸枕交界部腦膨出
E.混合型:同時(shí)具有上述四型的表現(xiàn)特點(diǎn)
最新試題
關(guān)于患者治療部位解剖結(jié)構(gòu)的表達(dá)描述正確的是()
4MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()
以下關(guān)于模擬定位機(jī)結(jié)構(gòu)描述錯(cuò)誤的是()
低熔點(diǎn)鉛中成分最大的是()
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是()
根據(jù)劑量率的大小,近距離治療可分為()
以下關(guān)于治療計(jì)劃系統(tǒng)描述正確的是()
屬于后裝機(jī)低劑量率(LDR)的范圍的是()
低熔點(diǎn)鉛的熔點(diǎn)為()
10MVX射線穿射5%所需LML的厚度約()