A.不易發(fā)生淋巴轉(zhuǎn)移
B.常發(fā)生雙側(cè)頸部淋巴結(jié)轉(zhuǎn)移
C.常侵及舌系帶
D.常侵及頜下腺
E.常侵及下頜骨
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A.上齒齦癌較為少見,常侵犯上頜骨
B.齒齦癌確診時約1/3的患者出現(xiàn)淋巴轉(zhuǎn)移
C.齒齦癌以放射治療為首選
D.下齒齦癌照射野應(yīng)包括同側(cè)全下頜骨(尤其是下齒齦癌侵犯下頜骨)
E.齒齦癌單純放射治療應(yīng)注意治療過程中逐漸縮野
A.腫瘤靠前者應(yīng)包下唇
B.腫瘤靠后者可不包下唇
C.后界一般置于椎體前緣
D.上界在舌上緣上2cm
E.下界一般置于舌骨下緣水平
A.病變較小的表淺的T1期舌癌
B.齒齦癌
C.病變較小比較靠后的舌癌
D.高分級的小涎腺來源的囊性腺樣上皮癌
E.累及相鄰頜骨的T3、T4頰黏膜癌
A.上頜骨
B.上齦區(qū)
C.下齦區(qū)
D.磨牙后區(qū)
E.頰肌皮膚
A.口底
B.舌系帶
C.舌根
D.上頜骨
E.全舌深層
最新試題
巴黎劑量學(xué)系統(tǒng)中源活性長度AL與靶區(qū)長度L的關(guān)系描述正確的是()
高劑量率腔內(nèi)后裝治療與低劑量率腔內(nèi)后裝治療在放射劑量的計算上需要適當(dāng)轉(zhuǎn)換,兩者校正系數(shù)為()
全擋塊一般需要半價層個數(shù)是()
低熔點鉛的熔點為()
近距離治療中,模照射技術(shù)是指()
巴黎系統(tǒng)中基準劑量率(BD)和參考劑量率(RD)的相互關(guān)系正確的是()
低熔點鉛中成分最小的是()
半擋板一般需要半價層的個數(shù)為()
不屬于近距離放射治療源的是()
不是近距離放療的形式的是()