A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（5）處應(yīng)選擇（）
A.EEPROM
B.FlashMemory
C.EPROM
D.VirtualMemory
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（4）處應(yīng)選擇（）
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（3）處應(yīng)選擇（）
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（2）處應(yīng)選擇（）
A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
用作存儲器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲信息也要定時刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級別刪除操作的是（5）。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
最新試題
如果一條流水線由3個子任務(wù)組成，它們分別需要的時間為50ms、60ms和20ms，現(xiàn)在有200個任務(wù)需要流水執(zhí)行，則需要的時間為（）
16位二進(jìn)制原碼所能表示的范圍為（），16位反碼所能表示的范圍為（），16位補(bǔ)碼所能表示的范圍為（）。
簡述數(shù)字簽名的主要過程。
如果存儲器周期是400ns，而每個周期可訪問4字節(jié)，則存儲器帶寬為（）。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
3個可靠性為0.5的子系統(tǒng)組成串聯(lián)系統(tǒng)后可靠性是（），組成并聯(lián)系統(tǒng)后可靠性是（）。
空白（2）處應(yīng)選擇（）
相聯(lián)存儲器是按（）訪問的存儲器，它一般應(yīng)用在（）中。
簡述多級存儲體系結(jié)構(gòu)的原理。
計(jì)算機(jī)容錯技術(shù)是指采用冗余方法消除故障影響，一般有（）和（）兩種方法。