A.隨頻率增加、晶片尺寸減小而減小
B.隨頻率或晶片尺寸減小而增大
C.隨頻率或晶片尺寸減小而減小
D.頻率增加、晶片尺寸減小而增大
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A.半擴(kuò)散角用第一零輻射角表示
B.半擴(kuò)散角用以表征波束的指向性
C.半擴(kuò)散角大小取決于晶片尺寸和聲波波長(zhǎng)
D.超聲探頭的半擴(kuò)散角越小越好
A.聲束邊緣聲壓最大
B.聲束軸線上聲壓最大
C.聲束邊緣和中心軸線聲壓一樣
D.聲壓與聲束寬度成正比
A.27mm
B.21mm
C.38mm
D.以上都不對(duì)
A.近場(chǎng)長(zhǎng)度
B.未擴(kuò)散區(qū)
C.主聲束
D.超聲場(chǎng)
A.與頻率成反比
B.與頻率成正比
C.與頻率平方成正比
D.與頻率平方成反比
最新試題
()可以對(duì)管路、管道進(jìn)行長(zhǎng)距離檢測(cè)。
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量()。
用橫波斜探頭檢測(cè),找到缺陷最大回波后,探頭所在截面及()可以確定缺陷位置。
調(diào)整檢測(cè)靈敏度的目的在于檢測(cè)出工件中規(guī)定大小的缺陷,并對(duì)缺陷進(jìn)行()。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
單探頭法容易檢出()。
()和底波高度法一般用于缺陷尺寸小于聲束截面的缺陷定量。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射,這種波是()。
()是影響缺陷定量的因素。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。