單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)因素不能影響晶體成長速率（）

A.溫度
B.壓力
C.晶體大小
D.雜質(zhì)


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1.單項(xiàng)選擇題由外來雜質(zhì)誘導(dǎo)成核過程稱（）

A.初級(jí)成核
B.次級(jí)成核
C.均相成核
D.非均相成核

2.單項(xiàng)選擇題在（）可以通過外因引起成核過程

A.不穩(wěn)區(qū)
B.穩(wěn)定區(qū)
C.介穩(wěn)區(qū)
D.過飽和區(qū)

3.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是過飽和度的表示法（）

A.濃度差
B.過飽和度比
C.相對過飽和度
D.溶解度差

4.單項(xiàng)選擇題過飽和溶液與飽和溶液間的濃度差稱（）

A.飽和度
B.過飽和度
C.溶解度
D.溶解度差