單項選擇題P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子


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1.單項選擇題關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì)，下列說法最為合適的是（）。

A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無論P型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)

2.單項選擇題對于半導(dǎo)體材料，若（），導(dǎo)電能力減弱。

A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強度
D.摻雜非金屬元素

3.單項選擇題金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）；半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）。

A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高

4.單項選擇題關(guān)于N型半導(dǎo)體的下列說法，正確的是（）。

A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價元素，可形成N型半導(dǎo)體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成

5.單項選擇題關(guān)于P型半導(dǎo)體的下列說法，錯誤的是（）。

A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價元素，可形成P型半導(dǎo)體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成