最新試題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型:判斷題