光生伏特效應(yīng)是指半導(dǎo)體在受到光照射時(shí)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。
最新試題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
MOS的輸出特性曲線(xiàn)中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
MOS管的伏安特性曲線(xiàn)含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
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