A.H=I/2πr2
B.H=I/2πr
C.H=Ir/2π
D.H=I/2πrR
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.以固定位置排列，方向互相抵消
B.以固定位置排列，在一個(gè)方向占優(yōu)勢(shì)
C.無(wú)規(guī)則的排列
D.與金屬晶粒結(jié)構(gòu)相同
A.北極
B.南極
C.北極和南極
D.任意
A.缺陷
B.飽和點(diǎn)
C.磁極
D.交點(diǎn)
A.25奧斯特
B.50奧斯特
C.75奧斯特
D.100奧斯特
A.50奧斯特
B.75奧斯特
C.100奧欺特
D.125奧斯特
最新試題
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位，必要時(shí)可加匹配線(xiàn)圈。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門(mén)浸入耦合液中。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
爬波在自由表面的位移有垂直分量，但不是純粹的表面波。
超聲波檢測(cè)中如果被檢工件衰減嚴(yán)重，定量會(huì)受到影響。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。
檢測(cè)曲面工件時(shí)，探頭與工件接觸有兩種情況，一是平面與曲面接觸，另一種是將探頭斜楔磨成曲面，探頭與工件曲面接觸。