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判斷題室溫時半導(dǎo)體種的電子和空穴始終在進(jìn)行著無規(guī)則的熱運動。

1.判斷題在平衡p-n結(jié)中，由內(nèi)件電場VD作用下形成的漂移電流等于載流子濃度差形成的擴(kuò)散電流，而使p-n結(jié)中的靜電流為零。

2.判斷題產(chǎn)生直接躍遷與間接躍遷的原因主要取決于半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)。

3.判斷題晶體缺陷分為點缺陷，面缺陷和線缺陷？

4.判斷題平面的方位影響受光面接受太陽輻射，如果自西向南稍偏東，則受光面接收到的日照輻射，上午較多，下午較少。

5.判斷題傾斜表面接受太陽輻照量的多少與其傾斜的角度大小無關(guān)。