單項(xiàng)選擇題LPL理論認(rèn)為,存活較長的可修復(fù)損傷數(shù)正比于照射劑量,稱為()
A.A損傷
B.B損傷
C.C損傷
D.D損傷
E.E損傷
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1.單項(xiàng)選擇題兩野對穿照射時(shí),為得到大于1的治療增益比,一般應(yīng)使每野在體位中心處的深度劑量PDD1/2間距滿足什么條件()?
A.≥50%
B.≤50%
C.≥75%
D.≤75%
E.≥90%
2.單項(xiàng)選擇題按IEC對電子束射野內(nèi)平坦度和對稱性的要求,90%劑量截面應(yīng)不低于50%劑量截面(射野大?。┑模ǎ??
A.10%
B.30%
C.50%
D.80%
E.85%
3.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)的技術(shù)擺位要點(diǎn)是升床要準(zhǔn)確()?
A.SSD
B.SAD
C.ROT
D.STD
E.SRD
4.單項(xiàng)選擇題計(jì)劃危及器官區(qū)的簡稱是()
A.OAR
B.PORV
C.ORV
D.PRV
E.POAR
5.單項(xiàng)選擇題靶區(qū)模劑量的含義是()
A.模體內(nèi)接受的平均劑量
B.靶區(qū)模型接受的平均劑量
C.模體內(nèi)最大劑量
D.PTV內(nèi)頻率出現(xiàn)最多的劑量
E.PTV內(nèi)頻率出現(xiàn)最少的劑量
最新試題
源皮距越小,百分深度劑量越大。
題型:判斷題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
題型:判斷題
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
題型:判斷題
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
題型:單項(xiàng)選擇題
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
題型:單項(xiàng)選擇題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
題型:判斷題
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
題型:判斷題
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
題型:判斷題
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
題型:判斷題
對射野輸出劑量的檢測頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
題型:判斷題