A.照射野形狀與靶區(qū)形狀一致
B.射野內(nèi)諸點(diǎn)的輸出劑量率恒定不變
C.能保護(hù)周圍正常組織免受損傷
D.靶區(qū)內(nèi)劑量處處相等
E.能提高靶區(qū)照射劑量
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A.照射時(shí)間
B.總治療時(shí)間
C.瞬時(shí)劑量率
D.治療平均劑量率
E.參考劑量率
A.照射時(shí)間
B.總治療時(shí)間
C.瞬時(shí)劑量率
D.治療平均劑量率
E.參考劑量率
A.照射時(shí)間
B.總治療時(shí)間
C.瞬時(shí)劑量率
D.治療平均劑量率
E.參考劑量率
A.劑量均勻性指數(shù)
B.最小劑量離散度
C.平均中心劑量
D.坪劑量區(qū)
E.參考區(qū)劑量
A.膀胱,直腸
B.左右腹主動(dòng)脈旁
C.左右骶髂聯(lián)合旁
D.恥骨上
E.骶骨外
最新試題
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。